IXTP3N100D2

IXYS
747-IXTP3N100D2
IXTP3N100D2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Modelo ECAD:
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600
Se espera el 4/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
32
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.28 $7.28
$4.77 $47.70
$3.51 $351.00
$3.12 $1,560.00
$2.76 $2,760.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
3 A
6 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37.5 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Depletion
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: IXTP3N100
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541900000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99