IXTQ69N30P

IXYS
747-IXTQ69N30P
IXTQ69N30P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 258

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$9.91 $99.10
$7.82 $938.40
$7.64 $3,896.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
1 Channel
300 V
69 A
49 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 27 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 25 ns
Serie: IXTQ69N30
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 75 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 5.500 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99