IXTQ86N25T

IXYS
747-IXTQ86N25T
IXTQ86N25T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 250V 86A N-CH TRENCH

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 300   Múltiples: 30
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.20 $1,560.00
$4.95 $2,524.50

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
250 V
86 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
- 55 C
+ 150 C
540 W
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 25 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 28 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Peso de la unidad: 1.600 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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