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IXTY1N80

Name: IXYS IXTY1N80
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1N80
Price: 1.57 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

747-IXTY1N80

Fabricante N.º:

IXTY1N80

Fabricante:

IXYS

Ciclo de vida:

NRND:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	28 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	IXTY1N80
Cantidad de empaque de fábrica:	70
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	330 mg