IXTY2N100P

IXYS
747-IXTY2N100P
IXTY2N100P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7.5 Rds

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$2.79 $195.30
$2.34 $1,310.40
$2.17 $2,278.50
$2.05 $5,166.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
2 A
7.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
24.3 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 27 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 29 ns
Serie: IXTY2N100
Cantidad de empaque de fábrica: 70
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 80 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.