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BSC024NE2LSATMA1

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Mouser N.º:

726-BSC024NE2LSATMA1

Fabricante N.º:

BSC024NE2LSATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.44

Mín.:

Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

BSC0901NSATMA1

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	2.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC024NE2LS SP000756342
Peso de la unidad:	118 mg