Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

BSC057N08NS3GATMA1

Name: Infineon BSC057N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC057N08NS3GATM
Price: 2.8 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-BSC057N08NS3GATM

Fabricante N.º:

BSC057N08NS3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 3,296

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 5,000

Se espera el 11/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.80	$2.80
	$1.81	$18.10
	$1.24	$124.00
	$0.997	$498.50
	$0.932	$932.00
	$0.914	$2,285.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.87	$4,350.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	114 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Kit de desarrollo:	EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	40 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC057N08NS3 G SP000447542
Peso de la unidad:	104.400 mg