BSC080N12LSGATMA1
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726-BSC080N12LSGATMA
BSC080N12LSGATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 3,003
-
Existencias:
-
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Las cantidades superiores a 3003 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.70 | $3.70 | |
| $2.42 | $24.20 | |
| $1.89 | $189.00 | |
| $1.59 | $795.00 | |
| $1.38 | $1,380.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $1.38 | $6,900.00 | |
Reemplazo posible
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
EOL
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
