IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA60R080P7XKSA1
IPA60R080P7XKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:
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$2.57 $257.00
$2.13 $1,065.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
69 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: CoolMOS P7
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Alias de las piezas n.º: IPA60R080P7 SP001658398
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Alemania
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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