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IPD70P04P4L08ATMA2

Name: Infineon IPD70P04P4L08ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD70P04P4L08ATM
Price: 2.01 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD70P04P4L08ATM

Fabricante N.º:

IPD70P04P4L08ATMA2

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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	$0.571	$1,427.50
	$0.562	$2,810.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	71 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD70P04P4L-08 SP002325772
Peso de la unidad:	4 g