Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

IPD90P04P4L-04

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IPD90P04P4L-04

Fabricante N.º:

IPD90P04P4L-04

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

IPD90P04P4L04ATMA2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	135 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	60 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	OptiMOS-P2
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD9P4P4L4XT SP000840194 IPD90P04P4L04ATMA1
Peso de la unidad:	330 mg