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IPDQ60R045CFD7XTMA1

Name: Infineon IPDQ60R045CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R045CFD7XTMA
Price: 7.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-DQ60R045CFD7XTMA

Fabricante N.º:

IPDQ60R045CFD7XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPDQ60R045CFD7XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	$4.48	$3,360.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	52 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	297 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	CoolMOS CFD7
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	96 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Alias de las piezas n.º:	IPDQ60R045CFD7 SP005419749

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.