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IPL65R115CFD7AUMA1

Name: Infineon IPL65R115CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPL65R115CFD7AUM
Price: 5.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPL65R115CFD7AUM

Fabricante N.º:

IPL65R115CFD7AUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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	$5.11	$5.11
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	$2.16	$2,160.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$2.16	$6,480.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	115 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	144 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	3 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	70 ns
Alias de las piezas n.º:	IPL65R115CFD7 SP005559260