IPLK60R1K5PFD7ATMA1

726-IPLK60R1K5PFD7AT
IPLK60R1K5PFD7ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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Mínimo: 5000   Múltiples: 5000
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
650 V
3.8 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
4.6 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Reel
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPLK60R1K5PFD7 SP004748878
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.