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IPP016N06NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP016N06NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P016N06NF2SAKMA1
Price: 2.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-P016N06NF2SAKMA1

Fabricante N.º:

IPP016N06NF2SAKMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos:

IPP016N06NF2SAKMA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	194 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	155 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	130 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	34 ns
Serie:	XPP016N06
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns
Alias de las piezas n.º:	IPP016N06NF2S SP005742470

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

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