IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPP60R040C7XKSA1
IPP60R040C7XKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 364

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$6.41 $64.10
$5.92 $592.00
$5.76 $2,880.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: AT
País de origen: AT
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS C7
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPP60R040C7 SP001277604
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99