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IPP65R150CFDA

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Mouser N.º:

726-IPP65R150CFDA

Fabricante N.º:

IPP65R150CFDA

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$5.12

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	135 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	86 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	195.3 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.6 ns
Serie:	CoolMOS CFDA
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	52.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12.4 ns
Alias de las piezas n.º:	SP000928272 IPP65R15CFDAXK IPP65R150CFDAAKSA1
Peso de la unidad:	2 g