IPW60R099C7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R099C7XKSA1
IPW60R099C7XKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 165

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$6.66 $6.66
$3.79 $37.90
$3.16 $316.00
$2.81 $1,348.80

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: AT
País de origen: DE
Tiempo de caída: 4.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Serie: CoolMOS C7
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 54 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11.8 ns
Alias de las piezas n.º: IPW60R099C7 SP001298004
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99