IPW65R041CFDFKSA2

Infineon Technologies
726-IPW65R041CFDFKS2
IPW65R041CFDFKSA2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Modelo ECAD:
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En existencias: 181

Existencias:
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240
Se espera el 11/06/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$7.89 $78.90
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
68.5 A
41 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
300 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: CN
País de difusión: DE
País de origen: DE
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPW65R041CFD SP001987360
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99