IPW65R110CFD7XKSA1
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
726-W65R110CFD7XKSA1
IPW65R110CFD7XKSA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
No en existenciasSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $6.12 | $6.12 | |
| $3.46 | $34.60 | |
| $2.88 | $288.00 | |
| $2.51 | $1,204.80 |
Hoja de datos
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Alemania
- País de origen del ensamblaje:
- China
- País de difusión:
- Alemania
