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IPW65R230CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPW65R230CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R230CFD7AXK
Price: 4.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW65R230CFD7AXK

Fabricante N.º:

IPW65R230CFD7AXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	230 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	63 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	80 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Alias de las piezas n.º:	IPW65R230CFD7A SP003793176