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IPZA65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPZA65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R035CFD7AX
Price: 13.15 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IPZA65R035CFD7AX

Fabricante N.º:

IPZA65R035CFD7AXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	145 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	305 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	2.7 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	131 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Alias de las piezas n.º:	IPZA65R035CFD7A -