IRF1010EPBF

Infineon Technologies
942-IRF1010EPBF
IRF1010EPBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

Modelo ECAD:
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26
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.06 $2.06
$1.14 $11.40
$0.92 $92.00
$0.74 $370.00
$0.731 $731.00
$0.649 $1,298.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: US
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99