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IRF2804STRL7PP

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Mouser N.º:

942-IRF2804STRL7PP

Fabricante N.º:

IRF2804STRL7PP

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

IPF013N04NF2SATMA1

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	320 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	170 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	330 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	130 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	120 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	330 mg