IRF2805PBF

Infineon Technologies
942-IRF2805PBF
IRF2805PBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,709

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.36 $3.36
$1.70 $17.00
$1.53 $153.00
$1.24 $620.00
$1.14 $1,140.00
$1.13 $2,260.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
55 V
175 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 110 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 91 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 120 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 68 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
China
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.