IRF2907ZPBF

942-IRF2907ZPBF
IRF2907ZPBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Reemplazo posible

Infineon Technologies IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
75 V
170 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99