IRF3205ZPBF

942-IRF3205ZPBF
IRF3205ZPBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$0.66 $660.00
$0.617 $1,234.00
$0.586 $2,930.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
55 V
110 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: DE
País de origen: KR
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99