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IRF60SC241ARMA1

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Mouser N.º:

726-IRF60SC241ARMA1

Fabricante N.º:

IRF60SC241ARMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

IPF012N06NF2SATMA1

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	950 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	311 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	417 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IRF60SC241 SP001646066
Peso de la unidad:	1.600 g