IRFB7730PBF

Infineon Technologies
942-IRFB7730PBF
IRFB7730PBF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power

Modelo ECAD:
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8
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.99 $3.99
$2.02 $20.20
$1.83 $183.00
$1.50 $750.00
$1.41 $1,410.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: DE
País de origen: IL
Tiempo de caída: 115 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 249 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 120 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 180 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99