IRFP3006PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFP3006PBFXKMA1
IRFP3006PBFXKMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 400   Múltiples: 400
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.09 $1,236.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 189 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 182 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 400
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 118 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Alias de las piezas n.º: IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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