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ISC009N06NM6ATMA1

Name: Infineon ISC009N06NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC009N06NM6ATMA
Price: 3.67 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISC009N06NM6ATMA

Fabricante N.º:

ISC009N06NM6ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$3.67	$3.67
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	$2.17	$217.00
	$2.10	$1,050.00
	$2.04	$2,040.00
	$1.98	$4,950.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$1.81	$9,050.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	344 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	900 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.3 V
Qg - Carga de puerta:	97 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	221 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	110 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.5 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC009N06NM6 SP005570342

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower R_DS(on) and ~25% higher FOM_Qg x R_DS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.