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ISC016N08NM8ATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8ATMA
Price: 4.86 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-ISC016N08NM8ATMA

Fabricante N.º:

ISC016N08NM8ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$1.56	$7,800.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	268 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.54 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	76 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC016N08NM8 SP006165693

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V (ISC016N08NM8 and ISC016N08NM8SC) or 100V (ISC019N10NM8SC) MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)]. The ISC016N08NM8SC and ISC019N10NM8SC are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the ISC016N08NM8 comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.