ISC019N03L5SATMA1

Infineon Technologies
726-ISC019N03L5SATMA
ISC019N03L5SATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.37 $1.37
$0.817 $8.17
$0.546 $54.60
$0.432 $216.00
$0.37 $370.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.332 $1,660.00
$0.325 $3,250.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS ~ StrongIRFET
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: N-Channel
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: ISC019N03L5S SP005408617
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.