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ISC025N08NM6SCATMA1

Name: Infineon ISC025N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC025N08NM6SCAT
Price: 5.15 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-ISC025N08NM6SCAT

Fabricante N.º:

ISC025N08NM6SCATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	170 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	167 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	40 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC025N08NM6SC SP006197456

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TARIC:: 8541290000

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