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SP000934750

Name: Infineon SP000934750
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SP000934750
Price: 0.42 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-SP000934750

Fabricante N.º:

SP000934750

Fabricante:

Infineon Technologies

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N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.66

Mín.:

Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

BSC0924NDI

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TISON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.8 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	10 nC, 12.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3 ns, 2.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S, 36 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.8 ns, 2.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns, 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.7 ns, 3.3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC0924NDIATMA1