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SPD04P10PGBTMA1

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Mouser N.º:

726-SPD04P10PGBTMA1

Fabricante N.º:

SPD04P10PGBTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

SPD04P10PL G

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2

Ciclo de vida:

Fin de vida útil: Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	644 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	38 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.6 ns
Serie:	XPD04P10
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.7 ns
Alias de las piezas n.º:	SPD04P10P G SP000212230
Peso de la unidad:	330 mg