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PMV30UN2R

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Mouser N.º:

771-PMV30UN2R

Fabricante N.º:

PMV30UN2R

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

Hoja de datos:

PMV30UN2R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-236AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Qg - Carga de puerta:	6.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	934068491215
Peso de la unidad:	4 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.