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PMV65XP,215

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Mouser N.º:

771-PMV65XP-T/R

Fabricante N.º:

PMV65XP,215

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

Hoja de datos:

PMV65XP,215 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	74 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	470 mV
Qg - Carga de puerta:	7.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	833 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934058736215
Peso de la unidad:	8 mg

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USHTS:: 8541210095
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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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Fabricante: Nexperia

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

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