2N7002K-R1-00001

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Mouser N.º:

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Fabricante N.º:

2N7002K-R1-00001

Fabricante:

Panjit

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	300 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	800 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	350 mW
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Panjit
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns