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PJX8806_R1_00001

Name: Panjit PJX8806_R1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJX8806_R1_00001
Price: 0.09 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

241-PJX8806_R1_00001

Fabricante N.º:

PJX8806_R1_00001

Fabricante:

Panjit

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-563-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	800 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	700 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	920 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	350 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	NFET-20TEMN
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Peso de la unidad:	2.606 mg