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HT8KE5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KE5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KE5HTB1
Price: 1.77 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-HT8KE5HTB1

Fabricante N.º:

HT8KE5HTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS

Ciclo de vida:

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	$0.595	$297.50
	$0.544	$544.00
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	$0.506	$1,518.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	210 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	3.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.7 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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