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HT8MA5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MA5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MA5TB1
Price: 0.53 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-HT8MA5TB1

Fabricante N.º:

HT8MA5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V, 30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	- 12 A, 12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.4 mOhms, 34.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	14.5 nC, 18.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	7 ns, 21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.7 S, 6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns, 20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns, 52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns, 9.5 ns