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RD3N06BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N06BATTL1
Price: 2.99 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3N06BATTL1

Fabricante N.º:

RD3N06BATTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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	$1.05	$2,625.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	110 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	101 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	170 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	23 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	46 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	265 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns