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RS1E320GNTB

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Mouser N.º:

755-RS1E320GNTB

Fabricante N.º:

RS1E320GNTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

NRND:

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Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

ROHM Semiconductor

Fabricante N.º:

RS1E321GNTB1

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	42.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	28.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	74.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21.8 ns
Alias de las piezas n.º:	RS1E320GN
Peso de la unidad:	771.020 mg