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RSD221N06TL

Name: ROHM Semiconductor RSD221N06TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RSD221N06TL
Price: 0.66 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-RSD221N06TL

Fabricante N.º:

RSD221N06TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
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	$0.665	$1,662.50
	$0.652	$3,260.00
	$0.632	$6,320.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	20 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	65 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	RSD221N06
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	RSD221N06
Peso de la unidad:	330 mg