2SK3812-ZP-E1-AZ

Name: Renesas Electronics 2SK3812-ZP-E1-AZ
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-2SK3812-ZP-E1-AZ
Price: 7.38 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-2SK3812-ZP-E1-AZ

Fabricante N.º:

2SK3812-ZP-E1-AZ

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS2

Hoja de datos:

2SK3812-ZP-E1-AZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Qg - Carga de puerta:	250 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	213 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	160 ns
Serie:	2SK3812-ZP
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	42 ns