NP16N06QLK-E1-AY

Name: Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-NP16N06QLKE1AY
Price: 3.05 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

968-NP16N06QLKE1AY

Fabricante N.º:

NP16N06QLK-E1-AY

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns