Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

TP65H050WS

Name: Renesas Electronics TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050WS
Price: 16.75 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

227-TP65H050WS

Fabricante N.º:

TP65H050WS

Fabricante:

Renesas Electronics

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: 67 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Las cantidades superiores a 67 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Fabricante:

Renesas Electronics

Fabricante N.º:

TP65H050G4WS

Descripción:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.3 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	119 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	TP65H
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	86 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	51 ns
Peso de la unidad:	6 g