SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$20.07 $12,042.00

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
119 A
24 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
565 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 16 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 38 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 58 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 26 ns
Peso de la unidad: 6.080 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99