STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics
511-STB80NF55L-08-1
STB80NF55L-08-1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 65 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 145 ns
Serie: STB80NF55L, STP80NF55L
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 85 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns
Peso de la unidad: 2.387 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99